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还在寻找一颗能瞬间唤醒系统、确保关键代码零延迟执行的“大脑”级存储芯片吗？M58LT256KST8ZA6E正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的256Mb并行NOR闪存，以其高达52MHz的运行速度和仅85ns的极速访问时间，让您的嵌入式系统摆脱等待，实现指令与数据的闪电般读取，极大提升整体响应效率。

它采用先进的1.7V~2V低电压设计，在保证高性能的同时有效控制功耗。其坚固的64-TBGA封装和宽达-40°C至85°C的工业级工作温度范围，更能让您轻松应对振动、高温、严寒等恶劣环境挑战，确保数据存储的万无一失。无论是工业控制、汽车电子还是高端通信设备，M58LT256KST8ZA6E都能成为您系统中最可靠、高效的非易失存储核心。

• 制造商产品型号：M58LT256KST8ZA6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：256Mb（16M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：52MHz
• 写周期时间-字，页：85ns
• 访问时间：85ns
• 电压-供电：1.7V ~ 2V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-TBGA
• M58LT256KST8ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。