我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H32M18BM-18:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统的数据瓶颈而烦恼吗？让MT49H32M18BM-18:B TR为您带来变革！这颗由美光科技出品的576Mb并行DRAM，凭借533MHz的高频和15ns的迅捷访问能力，能瞬间提升您系统的数据吞吐效率，让实时处理海量信息变得轻松无比。

它采用先进的144-TFBGA小型化封装，为您节省宝贵的板卡空间，同时1.7V~1.9V的低电压设计让系统运行更加高效节能。无论是驱动复杂的网络设备、确保工业控制的稳定，还是支撑高性能计算模块，它都能提供可靠、高速的数据缓冲支持，是您打造流畅、响应迅速产品的理想内存核心。

• 型号:MT49H32M18BM-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18BM-18:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。