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还在寻找能承载您雄心壮志的存储核心吗？MT29F1T08EEHBFJ4-R:B就是答案。这颗美光出品的1Tb并行NAND闪存，能轻松为您的数据中心、企业级设备或高性能计算平台提供海量、非易失的数据存储空间，让您从容应对爆炸式增长的数据存储需求。

它采用先进的TLC NAND技术和并联接口，旨在提供高效的数据吞吐能力。1.7V~1.95V的低电压运行不仅降低了系统功耗，其0°C至70°C的宽温工作范围更确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一个坚实、高效的数据基石，让系统性能飞跃再无存储瓶颈。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHBFJ4-R:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T08EEHBFJ4-R:B，Micron（美光）产品一站式供应商。