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还在为嵌入式系统寻找一颗高速、稳定的内存核心吗？MT47H32M16BN-37E IT:D TR正是为您而来。这颗美光DDR2 SDRAM芯片，拥有512Mb（32M x 16）的并行存储容量，能以高达267MHz的时钟频率飞速运转，让您的设备数据处理能力瞬间提升，轻松应对实时控制、高速缓存等严苛任务。

它采用1.8V低电压供电，在高效能的同时兼顾节能。其宽温特性（-40°C ~ 95°C）和可靠的84-TFBGA封装，确保它在工业自动化、网络通信等复杂环境中依然稳定如山。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的高性能保障，让系统运行更流畅，开发更省心。

• 型号:MT47H32M16BN-37E IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（10x12.5）
• MT47H32M16BN-37E IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。