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凭借其并联接口和333MHz的时钟频率，它能实现高速的数据读写，显著缩短系统加载和响应时间，让您的设备运行如飞。无论是用于加速服务器缓存，还是作为嵌入式系统的核心存储，它都能让您的设计脱颖而出，为用户带来高效、流畅的极致体验。

• 型号:MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:768Gb
• 存储器组织:96G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。