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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？MT44K32M18RB-125F:A就是您期待的答案。这颗576Mb（32M x 18）的并行DRAM，拥有高达800MHz的时钟频率和仅8ns的访问时间，能为您的高速应用提供如闪电般的数据读写体验，轻松应对实时处理和海量数据缓冲的严苛需求。

它采用1.28V~1.42V的低电压供电，在保证强大性能的同时实现高效节能，并且能在0°C至95°C的宽温度范围内稳定工作，可靠性极高。其168-TBGA的紧凑封装形式，让您能更灵活地进行板级设计，最大化利用空间。选择它，就是为您的产品选择了一颗经过市场验证的、强劲而可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT44K32M18RB-125F:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-125F:A，Micron（美光）产品一站式供应商。