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还在为设备的数据存储速度和容量寻找最优解吗？MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的256Gb NAND闪存芯片，拥有32G x 8的存储架构，能为您的大容量应用提供坚实的基础。其并联接口与83MHz的时钟频率协同工作，能显著提升数据读写效率，让您的系统运行更加流畅迅捷。

它采用2.7V~3.6V宽电压供电，并支持0°C~70°C的工作温度范围，具备出色的适应性与可靠性。无论是需要稳定存储的工业设备，还是追求高效响应的消费电子产品，它都能轻松融入，让您的设计摆脱存储瓶颈，高效应对各种复杂的数据任务，全面提升终端产品的性能与竞争力。

• 型号:MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-TBGA
• 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
• MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。