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还在寻找一颗能扛重任、让您放心的核心存储芯片吗？MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D TR就是您的答案。这颗美光出品的1Gb并行NAND闪存，专为要求严苛的嵌入式环境而生，它能为您的高速设备提供稳定、非易失的数据存储，确保关键信息在断电后依然完好无损。

它采用高效的并联接口和1.8V典型电压供电，让您的系统能够以更低的功耗实现快速的数据读写。其宽达-40°C至85°C的工作温度范围，意味着无论是酷热的户外设备还是冰冷的工业现场，它都能稳定运行，极大拓展了您产品的应用疆界。选择它，就是选择了一个经过全球市场验证的可靠伙伴，让您的产品设计更高效，性能表现更卓越。

• 型号:MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。