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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M36BM-25:A为您带来改变！这颗美光出品的576Mb并行DRAM，能以高达400MHz的速度与您的处理器协同工作，20ns的极速访问时间让数据调用几乎无需等待，显著提升系统响应效率。

它采用1.7V-1.9V的低电压运行，在为您提供强劲并行数据处理能力的同时，有效控制功耗，让您的设备运行更节能、更稳定。无论是用于加速网络交换、缓冲图形数据还是支撑工业控制器的实时运算，它都能让您的设计轻松应对高带宽需求，实现更高效、更可靠的产品性能。

• 型号:MT49H16M36BM-25:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-25:A，Micron（美光）产品一站式供应商。