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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？让MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR来为您解决！这颗来自美光科技的1Tb并行NAND闪存芯片，是您实现高速、大容量数据处理的秘密武器。其333MHz的时钟频率和并联接口，能让您的系统实现闪电般的读写速度，轻松应对高清视频流、大型数据库或复杂应用程序的即时加载需求。

凭借2.5V至3.6V的宽电压供电和0°C~70°C的稳定工作范围，它能在各种环境下为您提供可靠的非易失性存储。无论是升级现有设备还是为长周期项目备料，选择这颗成熟的芯片，意味着您选择了一份经过验证的卓越性能与稳定性，让您的产品设计更高效、更可靠。

• 型号:MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。