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还在为设备的数据处理速度跟不上创意而烦恼吗？EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR就是您期待的答案。这颗美光出品的4Gb移动LPDDR2 DRAM，以其533MHz的高时钟频率和并联接口，为您的高速应用注入澎湃动力，让海量数据吞吐变得轻松自如，彻底告别卡顿与等待。

它专为追求高效能与低功耗平衡的现代设备而生。宽电压支持与极宽的工作温度范围（-40°C ~ 105°C），让您的产品设计拥有前所未有的灵活性，无论是智能手机、平板还是车载系统，都能稳定可靠地运行。其紧凑的134-WFBGA封装，更能帮助您优化空间布局，实现更轻薄、更强大的产品设计。

• 型号:EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
• EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。