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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？MT49H16M36BM-25:B TR就是您期待的解决方案。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，能为您的高速应用提供充沛的数据带宽，其400MHz的运行频率和20ns的快速响应，让您的处理器无需等待，尽情发挥算力。

它采用高效的1.8V左右电压供电和144-TFBGA小型化封装，不仅帮助您降低整体系统功耗，更能实现紧凑的板级设计。无论是处理网络数据流、缓冲视频帧还是执行复杂的实时控制，它都能稳定、高效地完成任务，让您的产品在性能竞争中轻松脱颖而出。

• 型号:MT49H16M36BM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。