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还在寻找能瞬间提升系统响应速度的内存解决方案吗？MT49H64M9BM-25:B正是您的高效答案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，以高达400MHz的时钟频率和仅20ns的访问时间，让您的设备能够轻松应对海量数据的实时读写需求，彻底释放处理器的性能潜力。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压供电，在提供强大带宽的同时，显著优化系统能效，帮助您设计出更节能环保的产品。其坚固的144-TFBGA封装和宽温工作特性（0°C~95°C），确保了在各种严苛应用环境下的长期稳定运行，让您无后顾之忧。

• 型号:MT49H64M9BM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H64M9BM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。