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还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储解决方案吗？MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR正是为您而来的答案。这颗由美光科技打造的1Tb并行NAND闪存芯片，拥有高达333MHz的时钟频率，能让您的设备实现海量数据的瞬间读写，彻底告别延迟与等待，无论是处理复杂的实时计算还是存储高清媒体内容都游刃有余。

它采用先进的132-VBGA封装，不仅节省空间，更确保了在0°C至70°C工作温度范围内的卓越稳定性。宽电压（2.5V~3.6V）供电设计让您的系统设计更具灵活性。选择它，就是为您的产品选择了一个强大、可靠且高效的数据基石，让您轻松应对各种严苛应用场景的挑战，专注于创新与市场领先。

• 型号:MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。