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还在为您的嵌入式设计寻找一颗既能扛住高性能运算，又兼顾能效的“心脏”级内存吗？MT41K512M8RH-125 AIT:E TR正是为您而来的解决方案。它基于先进的DDR3L技术，以低至1.35V左右的标准电压运行，显著降低系统功耗，同时提供4Gb（512M x 8）的大容量和800MHz的高速时钟，让您的设备处理多任务时更加从容不迫。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的工业控制器、网络设备或汽车电子系统实现更快的数据存取与交换，13.75ns的访问时间确保响应迅捷。其坚固的78-TFBGA封装和宽温特性（-40°C ~ 95°C），更能让您的产品轻松应对各种苛刻环境，提升整体可靠性与竞争力。

• 型号:MT41K512M8RH-125 AIT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 AIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。