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更重要的是，它专为严苛环境设计，支持-40°C至95°C的宽温工作范围，并能在1.8V左右的低电压下稳定运行。这意味着无论是工业控制、通信设备还是车载应用，它都能让您的产品在各种挑战下保持稳定可靠的数据吞吐，轻松应对复杂多变的现实场景。

• 型号:MT47H64M8B6-5E IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-5E IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。