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还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？MT29F1T08CUECBH8-12:C TR 这颗来自美光科技的1Tb大容量并行NAND闪存芯片，就是为您突破限制而设计的利器。它能让您的系统轻松容纳海量数据，无论是程序代码、用户文件还是实时日志，都能获得宽敞、稳定的安身之所。

凭借其高效的并联接口和83MHz的时钟频率，它能显著提升您的数据存取速度，让系统响应更加迅捷。宽电压范围和工业级温度适应性，则确保了它在各种应用环境中都能可靠工作。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、省心的数据存储核心，让性能提升立竿见影。

• 型号:MT29F1T08CUECBH8-12:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29F1T08CUECBH8-12:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。