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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H64M8SH-25E:H为您带来改变。这颗512Mb容量的DDR2 SDRAM芯片，凭借400MHz的高时钟频率和并联接口，能轻松胜任高速数据缓存与交换任务，瞬间提升您设备的响应速度与多任务处理能力。

它采用1.8V左右的核心电压，在提供强劲性能的同时兼顾能效，帮助您优化整体系统功耗。其宽温工作特性（0°C至85°C）和可靠的FBGA封装，确保在各种应用环境中稳定运行，让您的设计无后顾之忧。选择它，就是选择了一个经过验证的高性能、高可靠性内存解决方案。

• 型号:MT47H64M8SH-25E:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8SH-25E:H，Micron（美光）产品一站式供应商。