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还在为嵌入式系统的内存性能瓶颈寻找突破口吗？EDB5432BEBH-1DAAT-F-D就是您期待的答案。这颗美光移动LPDDR2 DRAM芯片，能以533MHz的高速时钟和32位并联接口，为您提供流畅无阻的数据交换体验，显著提升系统响应速度。

它更懂您的能效诉求。1.14V~1.95V的宽电压支持，让您能灵活设计电源方案，大幅降低整体功耗。同时，其坚固的工业级品质（-40°C ~ 105°C工作温度）和紧凑的134-VFBGA封装，让您能轻松应对严苛环境并实现高密度板卡设计，是打造可靠、高效且具竞争力的智能设备的理想内存核心。

• 型号:EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
• EDB5432BEBH-1DAAT-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。