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MT29F64G08CECDBJ4-10:D 零件图片(仅供参考)

MT29F64G08CECDBJ4-10:D
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MT29F64G08CECDBJ4-10:D 规格参数

还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗?MT29F64G08CECDBJ4-10:D正是您的理想答案。这颗美光出品的64Gb并行NAND闪存,能以高达100MHz的速度处理数据,让您的嵌入式系统或存储设备轻松应对海量信息的实时读写挑战。

它采用工业级标准设计,宽电压供电与宽温工作范围确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行。其紧凑的132-VBGA封装为您节省宝贵的电路板空间,让您的设计更高效、更可靠。选择它,就是为您的产品选择了一个强大、耐用且值得信赖的数据存储基石。

  • 制造商产品型号:MT29F64G08CECDBJ4-10:D
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb(8G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:100MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F64G08CECDBJ4-10:D,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08CECDBJ4-10:D 基本参数:

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