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还在为嵌入式系统寻找一颗既强劲又可靠的内存核心吗？MT47H64M8SH-25E:H TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Mbit DDR2 SDRAM，能以高达400MHz的速度与您的处理器协同工作，让数据存取瞬间完成，彻底释放主控芯片的性能，确保您的应用程序运行如飞。

它不仅仅追求速度，更注重在实际应用中的稳定表现。1.8V左右的核心电压帮助您有效控制系统功耗，而0°C至85°C的工业级工作温度范围，则让它能从容应对各种复杂环境挑战。无论是安装在紧凑的消费电子设备中，还是嵌入到要求严苛的工业主板里，其60-TFBGA表面贴装封装都能让您轻松完成高密度布局，简化生产流程。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的高效与安心。

• 型号:MT47H64M8SH-25E:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8SH-25E:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。