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还在为嵌入式系统寻找可靠的数据存储基石吗？M29W256GL7AZS6F TR就是您的高效解决方案。这颗256Mb并行NOR闪存芯片，能为您稳定存储核心引导代码、操作系统或关键参数，其70ns的快速访问时间让系统启动和运行更加流畅迅捷。

它支持灵活的字节（x8）或字（x16）宽度访问，宽电压（2.7V-3.6V）与宽广的工作温度范围（-40°C至85°C）让它能轻松应对工业、通信及汽车等严苛环境。选择它，就是为您的设计选择了一份由美光科技品质背书的持久可靠性。

• 型号:M29W256GL7AZS6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• M29W256GL7AZS6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。