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还在寻找能让您的嵌入式系统“思维”更敏捷、“记忆”更稳固的核心吗？M58LR128KB85ZB5E正是您期待的解决方案。这颗128Mb并行NOR闪存芯片，拥有高达66MHz的时钟频率与仅85ns的快速访问时间，能让您的设备几乎在瞬间完成代码读取与数据调用，极大提升系统响应效率，让应用程序运行如行云流水。

它能在1.7V至2V的低电压下高效工作，帮助您优化整体功耗。同时，其宽广的-30°C至85°C工作温度范围，确保了在严苛环境下的数据存储可靠性，无论是工业控制还是车载设备，都能让您安心无忧。通过这颗芯片，您可以轻松构建出高速、稳定且节能的存储子系统，为产品的卓越性能奠定坚实基础。

• 型号:M58LR128KB85ZB5E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-VFBGA（7.7x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:66 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-VFBGA
• 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
• M58LR128KB85ZB5E，Micron（美光）产品一站式供应商。