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还在为设备存储性能不足而烦恼吗？MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的3Tb大容量NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能以高达267MHz的时钟频率飞速处理数据，让您的系统轻松应对海量信息存取，告别等待。

它采用非易失性存储技术，确保数据安全持久。宽电压供电（2.7V-3.6V）和0°C至70°C的工作温度范围，让它能在各种环境中稳定运行，为您产品的可靠性和耐用性加分。无论是嵌入式系统、网络设备还是高端消费电子，它都能成为您设备中高效、可靠的“数据仓库”。

• 制造商产品型号：MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 272TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：3Tb（384G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
• MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。