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还在为嵌入式系统寻找一颗稳定、高效的“数据仓库”吗？NAND512W3A2SN6E正是您理想的解决方案。这颗512Mb（64M x 8）的并行NAND闪存芯片，能以高达50ns的快速访问和写入速度，让您的设备实现流畅的数据吞吐，无论是存储关键程序代码，还是记录实时运行数据，都能轻松应对，显著提升系统响应效率。

它采用2.7V~3.6V宽电压设计，兼容性强，易于集成到各种电源方案中。同时，其宽达-40°C至85°C的工作温度范围，让您的产品无惧严寒酷暑，在工业控制、汽车电子、网络通信等要求苛刻的领域也能稳定运行，保障数据安全可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:NAND512W3A2SN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND512W3A2SN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。