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还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，时钟频率高达333MHz，能为您提供疾风骤雨般的数据读写体验，轻松应对数据中心、高端计算、网络通信等对性能有极致要求的场景。

它拥有64G x 8的庞大存储架构，如同一个永不疲倦的数字仓库，让您海量的应用程序、系统文件和关键数据都能找到安稳的归宿。其2.5V~3.6V的宽电压适应能力和0°C~70°C的工业级工作温度范围，确保了在各种复杂环境下依然稳定如磐，极大提升了您终端产品的耐用性和市场竞争力。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的“数据心脏”。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A，Micron（美光）产品一站式供应商。