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您正在寻找一颗能扛住极端温度、稳定存储核心数据的闪存芯片吗？MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR正是您的得力助手。这颗美光1Gb并行NAND闪存，采用成熟的63-VFBGA封装，能在-40°C到85°C的严苛环境下稳定工作，确保您的工业设备、车载系统或网络设备在任何挑战中都不丢失关键信息。

它为您提供1Gb（64M x 16）的非易失存储空间，采用高效的并联接口，并在1.7V至1.95V的低电压下运行，帮助您轻松构建更节能的系统。无论是用于程序代码存储、数据日志记录还是系统参数保存，它都能让您的设计高效又可靠。选择这颗经过市场验证的芯片，就是为您的产品选择了一份坚实的存储保障。

• 型号:MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。