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还在为嵌入式系统寻找一颗既强大又可靠的“数据心脏”吗？MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR正是为您而来。这颗美光8Gb并行NAND闪存，能为您提供高达512M x 16位的海量非易失存储空间，确保您的关键数据在断电后依然安全无虞。

它让您轻松应对-40°C到85°C的严酷工作环境，无论是极地严寒还是车间高温，都能稳定运行。其1.7V~1.95V的低电压特性，助力您设计出更节能高效的产品。采用紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，它能高效融入您的PCB布局，简化生产流程，是提升产品竞争力的理想存储解决方案。

• 型号:MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。