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当您的移动设备需要同时驾驭多任务与高性能应用时，内存的速度与效率就是决胜关键。MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR正是为此而生。它能让您的产品轻松拥有高达1600MHz的数据吞吐能力，配合8Gb的大容量，确保大型应用加载迅捷、多任务切换丝滑流畅，彻底告别卡顿等待。

这颗芯片采用先进的Mobile LPDDR4技术与1.1V低电压供电，在为您提供强劲性能的同时，显著优化功耗，让设备续航更持久。其坚固的200-WFBGA封装和宽温工作特性（-40°C ~ 95°C），更能保障您的产品在各种复杂环境下稳定高效运行，赋予设计更大的可靠性与灵活性。

• 型号:MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。