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还在寻找一颗能扛重任、让您安心的核心存储芯片吗？MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR就是您可靠的答案。这颗由美光科技出品的1Gb NAND闪存，采用经典的并联接口与128M x 8架构，能轻松融入您的现有系统，为设备提供稳定、非易失的数据存储港湾。

它能在1.7V至1.95V的低电压下高效运行，显著延长便携设备的电池寿命，其宽广的-40°C ~ 85°C工作温度范围，更确保了在工业、车载等恶劣环境下的出色可靠性。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，让您能最大化优化电路板空间。选择它，就是选择了一份历经市场验证的稳定与高效，让您的产品设计无后顾之忧。

• 型号:MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。