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还在寻找一颗能扛重任、快速响应的核心存储芯片吗？M29DW256G70ZA6E正是为您这样的需求而生。这颗256Mb（16M x 16）的并行NOR闪存，拥有高达70ns的快速访问与写入周期时间，能让您的嵌入式系统实现近乎瞬时的代码读取与数据存取，极大提升整体运行效率。

它采用2.7V~3.6V宽电压供电和64-TBGA表面贴装封装，不仅节能，更便于集成到各种紧凑的设计中。其非易失特性确保断电后数据安全无忧，而-40°C至85°C的宽广工作温度范围，则让它能从容应对工业、汽车等严苛环境，为您的产品提供全天候的稳定支持。

简而言之，M29DW256G70ZA6E的核心价值在于：以经典可靠的NOR架构，为您提供高速、稳定、耐用的存储解决方案，让您能够专注于核心功能开发，而无需为底层存储的性能与可靠性担忧。

• 型号:M29DW256G70ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M29DW256G70ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。