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还在为嵌入式系统寻找一颗稳定可靠的“记忆核心”吗？M29F400BB55M6T TR正是您期待的答案。这颗4Mb并行NOR闪存芯片，能为您安全存储至关重要的引导代码、应用程序或系统参数，其55ns的快速访问时间让主控芯片高效运行，毫无迟滞。

它拥有工业级宽温（-40°C ~ 85°C）和宽压（4.5V~5.5V）工作能力，让您的设备无论是面对严苛的户外环境还是波动的供电条件，都能确保数据万无一失。采用标准的44-SOIC封装，易于表面贴装生产，为您简化设计与制造流程，是工业控制、汽车电子及通信设备等需要长期稳定运行的领域的理想存储伙伴。

• 型号:M29F400BB55M6T TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:44-SO
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
• 供应商器件封装:44-SO
• M29F400BB55M6T TR，Micron（美光）产品一站式供应商。