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还在为系统内存带宽和响应速度而烦恼吗？让MT49H16M18CSJ-25:B TR为您带来改变！这颗美光出品的288Mb并行DRAM，就像一位高效的数据调度官，能以400MHz的高速时钟和20ns的迅捷访问，轻松处理16M x 18位宽的海量数据流，瞬间提升您系统的吞吐能力。

它专为追求高性能与可靠性的场景打造。其1.7V~1.9V的低电压运行，让您在获得强劲动力的同时有效控制能耗；0°C至95°C的宽温适应范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。无论是加速网络通信、强化工业控制，还是保障视频处理的流畅，它都能成为您系统中值得信赖的坚实后盾。

• 型号:MT49H16M18CSJ-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M18CSJ-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。