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还在为系统数据处理的迟滞而烦恼吗？让MT49H16M18BM-5:B TR为您注入澎湃动力！这颗美光出品的288Mb并行DRAM，凭借200MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能轻松应对实时数据流处理、高速缓存等严苛任务，让您的设备响应如飞。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压设计，在提供高效能的同时，显著降低系统功耗与发热，非常适合对能效和稳定性有高要求的嵌入式应用。其宽温（0°C ~ 95°C）特性和可靠的144-TFBGA封装，确保您的产品在各种环境下都能稳定运行，是您构建高性能、高可靠性系统的理想存储核心。

• 型号:MT49H16M18BM-5:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18BM-5:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。