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MT52L256M64D2QB-125 XT:B 零件图片(仅供参考)

MT52L256M64D2QB-125 XT:B
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MT52L256M64D2QB-125 XT:B 规格参数

您是否渴望为您的移动设备注入一颗强劲且高效的“记忆芯”?MT52L256M64D2QB-125 XT:B正是您期待的答案。这颗美光出品的16Gb LPDDR3芯片,能以高达800MHz的速度疾速响应,轻松处理海量数据吞吐,让您的应用程序运行如飞,复杂任务切换丝滑流畅。

它专为高性能移动场景优化,1.2V的低电压设计在释放强大动力的同时,显著节约每一分电能,直接助力延长终端设备的续航时间。选择它,就是为您的产品选择了可靠的高性能与出色的能效表现,让您在市场竞争中轻松占据领先地位。

  • 制造商产品型号:MT52L256M64D2QB-125 XT:B
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 800MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:散装
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:16Gb(256M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:800MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.2V
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT52L256M64D2QB-125 XT:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT52L256M64D2QB-125 XT:B 基本参数:

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