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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H256M8THN-25E:M为您带来飞跃式的体验升级！这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM芯片，凭借256M x 8的并行架构和高达400MHz的时钟频率，能为您的高速应用提供充沛的数据带宽。无论是处理复杂的网络数据包，还是运行实时的控制指令，它都能确保信息流畅无阻，显著提升系统响应速度。

它采用先进的63-TFBGA表面贴装封装，集成度高，易于在紧凑的PCB空间内布局。1.8V左右的核心工作电压，帮助您有效控制系统功耗，实现更优的能效比。其宽泛的工作温度范围（0°C至85°C）赋予了它强大的环境适应性，让您的设备在各类场景下都能稳定运行，持久可靠。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、稳健的数据处理核心。

• 型号:MT47H256M8THN-25E:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H256M8THN-25E:M，Micron（美光）产品一站式供应商。