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还在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？NAND128W3A0BN6F TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Mb并行NAND闪存，能以高达50ns的访问速度，为您的高速应用提供流畅的数据吞吐体验，让您的系统响应更加迅捷。

它专为严苛环境设计，宽达2.7V-3.6V的工作电压和-40°C至85°C的工业级温度范围，让您的设备无论面对供电波动还是极端气候，都能稳定可靠地保存关键数据。其16M x 8的存储结构，为您提供了高效灵活的数据管理方式。选择它，就是为您的产品选择了一份坚实的存储保障，让您轻松构建高性能、高可靠性的嵌入式系统。

• 型号:NAND128W3A0BN6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND128W3A0BN6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。