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MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR 零件图片(仅供参考)

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR
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MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR 规格参数

您是否正在为您的移动设备寻找一颗既能提供澎湃性能,又能极致省电的内存解决方案?MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的32Gb Mobile LPDDR3 DRAM芯片,能以高达1067MHz的速度高效处理数据,让您的设备运行如飞,轻松应对多任务处理、高清流媒体和大型应用。

它采用先进的1.2V低电压设计,显著降低系统功耗,直接助力延长设备的电池续航时间。其253-VFBGA紧凑封装和表面贴装型设计,让您能更灵活地进行PCB布局,轻松实现产品的轻薄化。无论是智能手机、平板电脑,还是需要稳定运行在宽温环境下的工业设备,这颗芯片都能提供可靠、高效的核心存储支持,让您的产品设计更具竞争力。

  • 型号:MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:253-VFBGA(11x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1067MHZ 253VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:512M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1067 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.2V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:253-VFBGA
  • 供应商器件封装:253-VFBGA(11x11.5)
  • MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR 基本参数:

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