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还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？让MT29F64G08AECABH1-10Z:A为您带来变革！这颗由美光科技打造的64Gb并行NAND闪存芯片，就像一个高速、海量的数字仓库，能轻松容纳您设备运行所需的一切程序、数据和内容。

凭借100MHz的时钟频率和并行接口，它能实现高效的数据读写，显著提升系统响应速度。宽电压范围和工业级工作温度，则确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的产品选择了一个强大、安心且极具性价比的存储核心，让您的设计脱颖而出。

• 型号:MT29F64G08AECABH1-10Z:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F64G08AECABH1-10Z:A，Micron（美光）产品一站式供应商。