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还在为嵌入式系统的数据存储方案而犹豫吗？让MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR来为您解决核心存储需求！这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存芯片，是您实现高效、可靠数据管理的得力助手。

它采用先进的闪存技术，提供非易失性存储，确保断电后数据依然安全无损。其1.7V~1.95V的低电压供电和-40°C至85°C的宽温工作范围，让您的设备在节能与适应严苛环境方面表现出色。通过其高速的并行接口，您可以轻松实现快速的数据读写，极大提升系统响应速度。

无论是存储应用程序、记录关键日志还是承载用户数据，MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR都能以稳定的性能和工业级的可靠性，为您的产品注入强大而持久的“记忆力”。

• 制造商产品型号：MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。