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还在为系统数据带宽瓶颈而困扰吗？MT49H8M36SJ-5:B就是您期待的解决方案。这颗288Mb并行DRAM芯片，能以高达200MHz的时钟频率疾速运行，为您的高速处理器提供源源不断的数据流，轻松应对实时数据处理、高速缓冲等严苛任务，让您的系统响应如飞。

它采用1.7V~1.9V低电压设计，在提供强大性能的同时兼顾能效。宽温（0°C~95°C）特性确保其在各种环境下稳定可靠。无论是工业控制、网络通信还是医疗设备，它都能成为您系统中高效、耐用的数据交换枢纽，助您构建更卓越的产品。

• 型号:MT49H8M36SJ-5:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36SJ-5:B，Micron（美光）产品一站式供应商。