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它让您轻松应对TB级数据的实时读写需求，其宽电压范围（2.5V~3.6V）与工业级工作温度（0°C~70°C）确保了在各种环境下的高效可靠运行。选择它，就是为您的核心设备选择了一个强大、值得信赖的数据基石，助力您的产品性能脱颖而出。

• 型号:MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1.125Tb
• 存储器组织:144G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29E1T208ECHBBJ4-3:B，Micron（美光）产品一站式供应商。