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还在为设备的数据处理瓶颈而烦恼吗？EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR就是您的高效解决方案。这颗由美光科技打造的1Gb并行移动LPDDR2 DRAM，能以高达533MHz的速度与您的系统核心无缝对话，轻松应对大量数据的实时读写需求，让您的应用程序运行如飞。

它不仅仅是一颗高速存储器，更是您提升产品竞争力的秘密武器。宽广的工作电压与温度范围，让您的设计可以从容应对各种复杂环境；紧凑的134-VFBGA封装则为您节省了宝贵的内部空间。选择它，意味着您选择了经过市场验证的可靠性能与卓越的能效表现，让您的智能设备在续航与流畅度之间找到完美平衡点。

• 型号:EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:32M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
• EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。