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您正在寻找一颗能扛重任、性能可靠的存储芯片吗？MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR正是为您而来！这颗美光科技的1Gb并行NOR闪存，核心使命就是为您的汽车电子、工业控制等关键应用提供坚固、高效的数据存储解决方案。

它能让您的系统在-40°C到105°C的极端温度下稳定运行，轻松应对严苛环境。105ns的快速访问和60ns的写入速度，确保了数据存取的高效流畅，大幅提升系统响应能力。其宽电压（2.7V-3.6V）设计和符合AEC-Q100标准的品质，为您简化电源设计，并注入强大的可靠性保障。

无论是存储启动代码、关键参数还是用户数据，这颗芯片都能以卓越的稳定性和性能，让您的产品设计更省心，运行更持久。

• 型号:MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8，64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:105 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。