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还在为系统数据吞吐能力不足而烦恼吗？让MT47H256M8THN-25E:H TR为您带来改变！这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM芯片，是您提升设备性能的得力助手。它拥有256M x 8的存储架构和并联接口，能以高达400MHz的速度高效处理数据流，让您的应用告别卡顿，响应如闪电般迅捷。

无论是处理复杂的图形渲染，还是应对密集的网络通信数据交换，它1.7V至1.9V的低电压运行和0°C至85°C的宽温适应能力，都能确保稳定高效的发挥。选择它，就是为您的产品选择了一个经过市场千锤百炼的可靠“大脑”，让系统运行更流畅，开发更省心。

• 型号:MT47H256M8THN-25E:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H256M8THN-25E:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。