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MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R 零件图片(仅供参考)

MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
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MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R 规格参数

您正在寻找一颗能承载海量数据、并确保其高速稳定存取的存储核心吗?MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R就是您的理想答案。这颗由美光科技出品的128Gb并行NAND闪存,能轻松为您提供高达16G x 8的非易失存储空间,让您的设备无论是处理复杂的程序代码,还是存储大量的媒体文件,都游刃有余。

其2.7V~3.6V的宽电压供电设计和0°C~70°C的工作温度范围,赋予了它出色的环境适应性与可靠性,让您的产品在各种应用场景下都能保持高效稳定的运行。选择它,就是为您的系统选择了一个强大、耐用且值得信赖的数据基石。

  • 制造商产品型号:MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 128GBIT PARALLEL WAFER
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:128Gb(16G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R 基本参数:

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