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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的核心存储芯片吗？MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR正是为您而来。这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存，能够为您的嵌入式系统提供稳定、非易失的数据存储解决方案，让您的设备在断电后依然牢牢记住关键信息。

它采用高效的并联接口和紧凑的63-VFBGA封装，让您轻松实现高速数据读写与紧凑的电路板设计。其宽广的-40°C至85°C工作温度范围与低至1.7V的供电电压，更能助力您的产品从容应对工业、汽车及严苛环境下的各种挑战，显著提升终端产品的耐用性与市场竞争力。

• 型号:MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。