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还在为嵌入式系统的内存性能而妥协吗？让MT47H64M16HR-25E AIT:H TR为您带来改变。这颗1Gb容量的DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度并行处理数据，访问时间低至400ps，让您的系统告别延迟，实现流畅的高速数据交换。

它专为 demanding 环境设计，支持-40°C到95°C的宽温操作，电压适应范围1.7V至1.9V，确保在工业、汽车等严苛场景下的极致稳定性。紧凑的84-TFBGA表面贴装封装，让您能轻松优化电路板空间。选择它，就是为您的核心设备选择了一位高效、可靠的数据处理伙伴。

• 型号:MT47H64M16HR-25E AIT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16HR-25E AIT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。