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MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR 零件图片(仅供参考)

MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR
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MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR 规格参数

还在为寻找一颗能同时满足大容量、高性能与高可靠性需求的存储核心而烦恼吗?MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR闪存芯片正是您期待的答案。它拥有高达4Tb(512GB)的海量存储空间,采用先进的TLC NAND技术与并联接口,让您的设备能够轻松、高效地处理如潮水般涌来的数据,无论是复杂的系统文件还是庞大的媒体内容,都能从容应对。

这颗芯片专为 demanding 的应用而设计。其1.7V~1.95V的宽电压范围和0°C~70°C的工作温度,确保了在多种供电环境和气候条件下都能稳定运行,极大提升了您终端产品的适应性和耐用性。选择它,意味着您为产品选择了一个强劲、可靠的数据基石,让您在开发高性能服务器、网络设备、工业控制系统或专业影音设备时,更加得心应手,无后顾之忧。

  • 制造商产品型号:MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 4TB PARALLEL
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(TLC)
  • 存储容量:4Tb(512G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR 基本参数:

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