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当您的设计需要一颗值得信赖的“数据中转站”时，MT46V32M16FN-5B:C TR能为您做什么？它本质上是一位高效、可靠的数据管家。凭借其DDR并行接口和200MHz的时钟频率，它能以极高的吞吐量处理数据流，让您的中央处理器无需等待，大幅提升系统整体响应速度和处理效率。

这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，采用经典的2.5V~2.7V供电，功耗控制出色。其700ps的快速访问时间和15ns的写周期，意味着无论是进行大数据量的实时缓存，还是执行频繁的读写操作，它都能轻松胜任，确保您应用的流畅与稳定。选择它，就是为您的成熟产品选择了一个经过时间考验的性能基石。

• 型号:MT46V32M16FN-5B:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16FN-5B:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。